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中展高造业自动（c）在Cl2-NDI的1.8nm厚(001)平面中晶体堆积的侧视图。图二、国发高度掺杂对n型单晶FET特性的影响（a）47μm厚Cl2-NDI晶体在暴露于N-硅烷蒸气（100μl，国发高度1h）前后FET ID-VG曲线的变化, 暴露之前（空心方块）和之后（实心圆圈）的。

端制（b）Cl2-NDI和PDIF-CN2的分子结构。文献链接：必须Site-specificchemicaldopingrevealselectronatmospheresatthesurfacesoforganicsemiconductorcrystals(NatureMaterials，2021，10.1038/s41563-021-01079-z)本文由材料人CYM编译供稿。2019年至今，西门担任山东大学晶体材料国家重点实验室教授。

（c，中展高造业自动d）掺杂效应σs和VT与晶体台阶密度之间的关系。（b）掺杂前后Cl2-NDI单晶的UPS能谱，国发高度以及对应的能带结构。

如今，端制有机半导体p型和n型掺杂在工业上被用于降低有机发光二极管显示器的工作电压。

必须（d）晶体厚度分别为3µm和40µm的Cl2-NDI单晶阶梯密度的AFM图像欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，西门投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。

然而，中展高造业自动关于石墨分级相结构演变的详细定量信息，尤其是在快速充电条件下，仍然缺乏。但是，国发高度作者发现石墨锂化过程中的阶段-II(LiC12)→阶段-I(LiC6)转变是将全电池充电至3C以上时的限速步骤。

然而，端制较厚的电极会阻止电池快速充电，可能会导致不必要的锂镀层，最终导致电池故障。必须文献链接：StructuralEvolutionandTransitionDynamicsinLithiumIonBatteryunderFastCharging:AnOperandoNeutronDiffractionInvestigation.Adv.Sci.,2021,DOI:10.1002/advs.202102318.本文由CQR编译。